搜索 EMD29T2R 共 8 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | EMD29T2R 授权代理品牌 | +1： ￥5.219886 +100： ￥2.959604 +1000： ￥1.515427 +4000： ￥1.027429 +8000： ￥0.776686 | |||
| EMD29T2R 授权代理品牌 | +233： ￥1.098574 +500： ￥1.040184 +1000： ￥0.981898 +2000： ￥0.952702 +4000： ￥0.925193 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| EMD29T2R 授权代理品牌 | +1： ￥6.255792 +100： ￥3.547008 +1000： ￥1.816128 +4000： ￥1.231344 +8000： ￥0.930816 |
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +8000： ￥0.702042 +16000： ￥0.656751 +24000： ￥0.640913 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +8000： ￥1.717381 +16000： ￥1.606587 +24000： ￥1.567841 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥6.410731 +10： ￥5.212203 +100： ￥3.545413 +500： ￥2.659059 +1000： ￥1.994294 | 系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 120mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 | ||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥6.410731 +10： ￥5.212203 +100： ￥3.545413 +500： ￥2.659059 +1000： ￥1.994294 | 系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 120mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| EMD29T2R 授权代理品牌 | +8000： ￥1.760864 |
EMD29T2R参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA，500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V，12V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 1 千欧，10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 30 5mA，5V / 140 100mA，2V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV 500µA，10mA / 300mV 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz，260MHz |
| 功率 - 最大值: | 120mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | EMT6 |
| 温度: |