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搜索 ES1D 共 173 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
ES1D_未分类
ES1D
MDD
授权代理品牌

DIODE GP 200V 1A DO214AC SMA

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未分类
+5：

￥0.051862

+50：

￥0.047231

+500：

￥0.042601

+1000：

￥0.03797

+2500：

￥0.035809

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： DO-214AC, SMA

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Standard

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 35 ns

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 1A

Supplier Device Package： DO-214AC, SMA

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 200 V

ES1D_未分类
ES1D
yenji-esd(台湾元基)
授权代理品牌

VR=200V IF=1A 19pF Trr=35ns

未分类
+1：

￥0.069061

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
ES1D_未分类
ES1D
sdjingdao(晶导微电子)
授权代理品牌

二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：1V 1A 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5μA 200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj)

未分类
+20：

￥0.044144

+100：

￥0.040506

+500：

￥0.03808

+1000：

￥0.035655

+5000：

￥0.032744

库存： 1000 +

国内：1~2 天

二极管配置： 独立式

直流反向耐压(Vr)： 200V

平均整流电流(Io)： 1A

正向压降(Vf)： 1V@1A

反向电流(Ir)： 5μA@200V

反向恢复时间(trr)： 35ns

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

ES1D_未分类
ES1D
LGE(鲁光)
授权代理品牌

快/超快恢复二极管 SMA VRRM=200V IR=5μA IF=1A

未分类
+1：

￥0.087362

+30：

￥0.084165

+100：

￥0.080968

+500：

￥0.074573

+1000：

￥0.071376

库存： 1000 +

国内：1~2 天

直流反向耐压(Vr)： 200V

平均整流电流(Io)： 1A

正向压降(Vf)： 980mV@1A

反向电流(Ir)： 5μA@200V

ES1D_未分类
ES1D
GOODWORK(固得沃克)
授权代理品牌

直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

未分类
+1：

￥0.062843

+100：

￥0.058653

+300：

￥0.054464

+500：

￥0.050274

+2000：

￥0.048179

库存： 1000 +

国内：1~2 天

二极管配置： 独立式

直流反向耐压(Vr)： 200V

平均整流电流(Io)： 1A

正向压降(Vf)： 950mV@1A

反向电流(Ir)： 5μA@200V

反向恢复时间(trr)： 35ns

工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)

ES1D_未分类
ES1D
TWGMC(台湾迪嘉)
授权代理品牌

快/超快恢复二极管 SMA VRRM=200V Io=1A Ir=5μA

未分类
+1：

￥0.041608

+100：

￥0.038852

+300：

￥0.036096

+500：

￥0.033351

+2000：

￥0.031973

库存： 1000 +

国内：1~2 天

二极管配置： 独立式

直流反向耐压(Vr)： 200V

平均整流电流(Io)： 1A

正向压降(Vf)： 950mV@1A

反向电流(Ir)： 5uA@200V

反向恢复时间(trr)： 35ns

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

ES1D_未分类
ES1D
Slkor(萨科微)
授权代理品牌

正向压降VF：0.95V 反向电流IR：5uA 封装/外壳：SMA(DO-214AC)

未分类
+10：

￥0.057716

+100：

￥0.053339

+500：

￥0.048973

+1000：

￥0.044597

+2000：

￥0.041686

库存： 1000 +

国内：1~2 天

直流反向耐压(Vr)： 200V

平均整流电流(Io)： 1A

正向压降(Vf)： 950mV@1A

反向电流(Ir)： 5μA@200V

反向恢复时间(trr)： 35ns

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

ES1D_未分类
ES1D
YANGJIE(扬杰)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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未分类
+20：

￥0.083437

+100：

￥0.076161

+500：

￥0.07131

+1000：

￥0.066459

+5000：

￥0.060638

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： DO-214AC, SMA

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Standard

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 35 ns

Capacitance @ Vr, F： 18pF @ 4V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 1A

Supplier Device Package： DO-214AC (SMA)

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 950 mV @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 200 V

ES1D_未分类
ES1D
BLUE ROCKET(蓝箭)
授权代理品牌
+1：

￥0.04883

库存： 1000 +

国内：1~2 天

二极管配置： 独立式

直流反向耐压(Vr)： 200V

平均整流电流(Io)： 1A

正向压降(Vf)： 1V@1A

反向电流(Ir)： 5μA@200V

反向恢复时间(trr)： 35ns

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
ES1D_二极管整流器
ES1D
ON(安森美)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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二极管整流器
+7500：

￥0.59219

+15000：

￥0.524484

+37500：

￥0.517736

+52500：

￥0.43991

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 15 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 7pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

ES1D参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 15 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: 7pF 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: