DMG1012TQ-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.354421 +10：￥0.321192 +30：￥0.299042 +100：￥0.265824 +500：￥0.250312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.798963 +100：￥0.540265 +800：￥0.396638 +3000：￥0.287375 +6000：￥0.272976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.322811 +50：￥0.284862 +150：￥0.278875 +500：￥0.269884	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.430058 +150：￥0.306308 +1500：￥0.260003 +3000：￥0.226316 +18000：￥0.223769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.491528 +200：￥0.318347 +1500：￥0.276325 +3000：￥0.24449 +45000：￥0.241944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.86711 +200：￥0.5616 +1500：￥0.487469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.702055 +6000：￥0.651163 +9000：￥0.539944 +30000：￥0.530508 +75000：￥0.476472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.003442 +10：￥3.416636 +100：￥1.671151 +500：￥1.393531 +1000：￥0.968381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.003442 +10：￥3.416636 +100：￥1.671151 +500：￥1.393531 +1000：￥0.968381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

DMG1012TQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.74 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60.67 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）