DMTH8012LPSQ-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.99864 +10：￥5.948844 +30：￥4.899048 +100：￥4.37415 +500：￥4.024218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2051 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.939126 +10：￥4.064944 +30：￥3.627854 +100：￥3.190763 +500：￥2.764599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2051 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.113704 +5000：￥2.013012 +12500：￥1.920147 +25000：￥1.916409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2051 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.170679 +5000：￥4.92436 +12500：￥4.697188 +25000：￥4.688044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2051 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.430202 +10：￥10.229915 +100：￥7.95533 +500：￥6.742599 +1000：￥5.492578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.430202 +10：￥10.229915 +100：￥7.95533 +500：￥6.742599 +1000：￥5.492578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥13.392944 +10：￥11.057347 +100：￥8.574752 +500：￥7.692778 +1000：￥6.271819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2051 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH8012LPSQ-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.161168 +5000：￥4.083273 +10000：￥4.048094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMTH8012LPSQ-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.417164 +10：￥7.659056 +25：￥7.618499 +100：￥5.250589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH8012LPSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta），72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2051 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.6W（Ta），136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）