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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.756855 +100：￥0.51183 +800：￥0.375705 +3000：￥0.27225 +6000：￥0.258698	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3Ohm 115mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 430mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.096796 +10：￥0.094558 +30：￥0.093073 +100：￥0.091577	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3Ohm 115mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 430mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.787675 +6000：￥0.730669 +9000：￥0.605938 +30000：￥0.595222 +75000：￥0.534644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3Ohm 115mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 430mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)
DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.714904 +10：￥3.214708 +100：￥1.568778 +500：￥1.308172 +1000：￥0.908834	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： X1-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.714904 +10：￥3.214708 +100：￥1.568778 +500：￥1.308172 +1000：￥0.908834	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： X1-DFN1006-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥4.507924 +10：￥3.811244 +100：￥2.021736 +500：￥1.338716 +1000：￥0.915244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3Ohm 115mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 430mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMN65D8LFB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3Ohm 115mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	25 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	430mW (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C (TJ)