DMT10H072LFDFQ-7厂家价格_数据手册

搜索 DMT10H072LFDFQ-7 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.14559 +10：￥5.223812 +30：￥4.301913 +100：￥3.841024 +500：￥3.533684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.14559 +10：￥5.223812 +30：￥4.301913 +100：￥3.841024 +500：￥3.533684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.553398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册未分类	+3000：￥2.29032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册未分类	+3000：￥2.224293 +6000：￥2.203959 +9000：￥2.183514 +12000：￥2.163068 +15000：￥2.142735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.40357 +6000：￥1.313045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.433505 +6000：￥3.212057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.75546 +10：￥8.306077 +100：￥6.203079 +500：￥4.873271 +1000：￥3.765887	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.75546 +10：￥8.306077 +100：￥6.203079 +500：￥4.873271 +1000：￥3.765887	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥9.015847 +10：￥7.144376 +100：￥5.518792 +500：￥4.562565 +1000：￥3.524376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMT10H072LFDFQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	228 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）