DMT10H072LFDFQ-7厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册未分类	+3000：￥2.29032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册未分类	+3000：￥2.224293 +6000：￥2.203959 +9000：￥2.183514 +12000：￥2.163068 +15000：￥2.142735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.732921 +6000：￥1.621154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.994482 +6000：￥2.80135	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.508088 +10：￥7.244028 +100：￥5.409928 +500：￥4.250155 +1000：￥3.284365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.508088 +10：￥7.244028 +100：￥5.409928 +500：￥4.250155 +1000：￥3.284365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.745361 +10：￥6.930036 +100：￥5.353222 +500：￥4.425684 +1000：￥3.418641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFDFQ-7 授权代理品牌	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 下载数据手册未分类	+3000：￥2.491323 +6000：￥2.414042 +9000：￥2.289607 +24000：￥2.271269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT10H072LFDFQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	228 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）