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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DDA124EH-7_晶体管-双极
DDA124EH-7
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

晶体管-双极

+20:

¥1.590182

+100:

¥1.074722

+800:

¥0.790493

+3000:

¥0.573298

+6000:

¥0.544621

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

自营 国内现货
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DDA124EH-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

晶体管-双极

+3000:

¥0.800906

+6000:

¥0.737027

+15000:

¥0.6633

+30000:

¥0.653513

+75000:

¥0.614189

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DDA124EH-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

晶体管-双极

+3000:

¥1.959229

+6000:

¥1.802962

+15000:

¥1.622608

+30000:

¥1.598665

+75000:

¥1.502468

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

DDA124EH-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

晶体管-双极

+1:

¥5.808693

+10:

¥4.363603

+25:

¥3.93291

+100:

¥2.075545

+250:

¥2.053161

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

DDA124EH-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
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DDA124EH-7_未分类
DDA124EH-7
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

未分类

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¥6.147169

+10:

¥4.644527

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¥2.895999

+500:

¥1.980754

+1000:

¥1.529962

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

DDA124EH-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: