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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA115TET1G_未分类
DTA115TET1G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

未分类

+1:

¥0.270506

+200:

¥0.104682

+500:

¥0.101004

+1000:

¥0.099187

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA115TET1G_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

双极晶体管

+3000:

¥0.428852

+6000:

¥0.386916

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 200 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

温度:

DTA115TET1G_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

双极晶体管

+1:

¥2.266807

+10:

¥2.082629

+100:

¥1.134821

+500:

¥0.698176

+1000:

¥0.47603

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: SC-75

DTA115TET1G_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

双极晶体管

+1:

¥0.435463

+200:

¥0.16852

+500:

¥0.162596

+1000:

¥0.15967

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: SC-75

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA115TET1G_晶体管
DTA115TET1G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: *

系列: DTA115TE

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

温度: ~

DTA115TET1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: SC-75,SOT-416
温度: