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DTC123JM3T5G_双极晶体管
DTC123JM3T5G
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

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双极晶体管
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￥5.864023

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￥3.909389

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￥3.257804

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

自营 现货库存
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DTC123JM3T5G_未分类
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TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

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￥0.549644

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￥0.506905

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

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双极晶体管
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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

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DTC123JM3T5G
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￥0.215626

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

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自营 国内现货
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双极晶体管
+8000：

￥0.267716

+16000：

￥0.227553

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￥0.214184

+56000：

￥0.200761

+200000：

￥0.17402

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

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双极晶体管
+8000：

￥0.654904

+16000：

￥0.556656

+24000：

￥0.52395

+56000：

￥0.491113

+200000：

￥0.4257

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

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双极晶体管
+1：

￥4.282958

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￥3.517216

+100：

￥1.866331

+500：

￥1.227782

+1000：

￥0.834917

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

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双极晶体管
+1：

￥4.282958

+10：

￥3.517216

+100：

￥1.866331

+500：

￥1.227782

+1000：

￥0.834917

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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+1：

￥5.049459

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￥4.137753

+100：

￥2.202126

+500：

￥1.444707

+1000：

￥0.98184

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-723-3

系列： DTC123JM3

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single

晶体管极性： NPN

典型输入电阻器： 2.2 kOhms

典型电阻器比率： 0.047

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 260 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 80

高度： 0.5 mm

长度： 1.2 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 0.8 mm

单位重量： 1.200 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

DTC123JM3T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 260 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: SOT-723
温度: