DMN4060SVT-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.312673 +100：￥1.563925 +800：￥1.148048 +3000：￥0.831875 +6000：￥0.790251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1287 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册	+1：￥1.292813 +10：￥1.087741 +30：￥0.999792 +100：￥0.91195 +500：￥0.853282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1287 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.66933 +6000：￥0.641529 +9000：￥0.577341 +30000：￥0.568814 +75000：￥0.534588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1287 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.637359 +6000：￥1.56935 +9000：￥1.412329 +30000：￥1.391469 +75000：￥1.307743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1287 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.000787 +10：￥4.714904 +100：￥2.824656 +500：￥2.615486 +1000：￥1.778521	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.000787 +10：￥4.714904 +100：￥2.824656 +500：￥2.615486 +1000：￥1.778521	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 下载数据手册晶体管	+1：￥7.114785 +10：￥5.788847 +100：￥3.945472 +500：￥2.959103 +1000：￥2.215286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1287 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4060SVT-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.271946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN4060SVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	46 毫欧 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1287 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSOT-23
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）