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自营 现货库存
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DTA114EM3T5G_未分类
DTA114EM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

未分类
+1：

￥0.894748

+200：

￥0.346256

+500：

￥0.334088

+1000：

￥0.328075

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 35 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

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DTA114EM3T5G_未分类
DTA114EM3T5G
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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+100：

￥0.390503

+1000：

￥0.390503

+3000：

￥0.390503

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 35 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

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DTA114EM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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未分类
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￥0.271823

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 35 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

自营 国内现货
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DTA114EM3T5G_双极晶体管
DTA114EM3T5G
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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双极晶体管
+8000：

￥0.349055

+16000：

￥0.2967

+24000：

￥0.279211

+56000：

￥0.261777

+200000：

￥0.226855

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 35 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

Digi-Key
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DTA114EM3T5G_双极晶体管
DTA114EM3T5G
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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双极晶体管
+8000：

￥0.853881

+16000：

￥0.725808

+24000：

￥0.683022

+56000：

￥0.640376

+200000：

￥0.554947

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 35 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

DTA114EM3T5G_双极晶体管
DTA114EM3T5G
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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双极晶体管
+1：

￥5.574548

+10：

￥4.585066

+100：

￥2.43329

+500：

￥1.601011

+1000：

￥1.08871

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

DTA114EM3T5G_双极晶体管
DTA114EM3T5G
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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双极晶体管
+1：

￥5.574548

+10：

￥4.585066

+100：

￥2.43329

+500：

￥1.601011

+1000：

￥1.08871

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DTA114EM3T5G_未分类
DTA114EM3T5G
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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未分类
+1：

￥5.680207

+10：

￥4.67197

+100：

￥2.48509

+500：

￥1.633059

+1000：

￥1.008237

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-723-3

系列： DTA114EM3

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 10 kOhms

典型电阻器比率： 1

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 35, 60

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 260 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 35

高度： 0.5 mm

长度： 1.2 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 0.8 mm

单位重量： 1.200 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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DTA114EM3T5G_未分类
DTA114EM3T5G
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R

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未分类
+8000：

￥0.546822

+24000：

￥0.518448

+48000：

￥0.481049

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

DTA114EM3T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 35 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 260 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: SOT-723
温度: