Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 400mA, 8A

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 8A, 5V

Frequency - Transition： 25MHz

Supplier Device Package： TO-220-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 60 W

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 400mA, 8A

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 8A, 5V

Frequency - Transition： 25MHz

Supplier Device Package： TO-220-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 60 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： D45H2A

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 30 V

集电极—基极电压 VCBO： -

发射极 - 基极电压 VEBO： -

集电极—射极饱和电压： - 1 V

最大直流电集电极电流： - 8 A

Pd-功率耗散： 60 W

增益带宽产品fT： 25 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 8 A

高度： 9.4 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.83 mm

单位重量： 1.800 g

温度： - 55 C~+ 150 C