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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.303057 +30：￥0.292239 +100：￥0.28141 +500：￥0.259763 +1000：￥0.248945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.78192 +100：￥0.56304 +200：￥0.451584 +300：￥0.4032 +800：￥0.374256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

自营现货库存

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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册未分类	+10：￥0.41945 +100：￥0.347478 +300：￥0.311492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册未分类	+200：￥0.529419	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

自营国内现货

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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.704577 +6000：￥0.66547 +15000：￥0.606737 +30000：￥0.567559 +75000：￥0.553913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

Digi-Key

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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.217508 +6000：￥1.14993 +15000：￥1.04844 +30000：￥0.98074 +75000：￥0.95716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：
	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.469485 +10：￥4.120345 +100：￥2.570658 +500：￥1.758502 +1000：￥1.352786	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666
	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.469485 +10：￥4.120345 +100：￥2.570658 +500：￥1.758502 +1000：￥1.352786	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666

Mouser

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	DDC114YH-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥6.81383 +10：￥4.833066 +100：￥2.170919 +1000：￥1.695535 +3000：￥1.426151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度：

DDC114YH-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	68 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度: