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	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.336726 +10：￥0.30612 +30：￥0.285713 +100：￥0.255096 +500：￥0.240808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.74173 +200：￥0.501545 +800：￥0.368203 +3000：￥0.266805 +6000：￥0.253495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+5：￥0.492954 +50：￥0.419023 +150：￥0.345092 +500：￥0.283503 +3000：￥0.246477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.374011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册未分类	+2：￥0.43846 +100：￥0.409265 +300：￥0.361097 +1000：￥0.323048 +5000：￥0.306922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册未分类	+3000：￥0.34176 +9000：￥0.338633 +30000：￥0.335505 +60000：￥0.332376 +120000：￥0.329249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册未分类	+1：￥1.142315 +30：￥0.375854 +100：￥0.309136 +500：￥0.294485 +1500：￥0.285843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+2：￥0.035655	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.556471 +200：￥0.360368 +1500：￥0.31198 +3000：￥0.276325 +45000：￥0.273778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114EU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.379193	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

DDC114EU-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	200mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度: