品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA, 8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A, 1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： D44H11

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 80 V

集电极—基极电压 VCBO： -

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 1 V

最大直流电集电极电流： 10 A

Pd-功率耗散： 70 W

增益带宽产品fT： 50 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 10 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 60

高度： 15.75 mm

长度： 10.53 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.83 mm

单位重量： 6 g

温度： - 55 C~+ 150 C