品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道互补型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta），2.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V，95 毫欧 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V，9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V，420pF 15V

功率 - 最大值： 840mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： TSOT-23

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道互补型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta），2.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V，95 毫欧 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V，9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V，420pF 15V

功率 - 最大值： 840mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： TSOT-23

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道互补型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta），2.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V，95 毫欧 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V，9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V，420pF 15V

功率 - 最大值： 840mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： TSOT-23

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： N and P-Channel Complementary

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 840mW (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 400pF @ 15V, 420pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13nC @ 10V, 9nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 250µA

Supplier Device Package： TSOT-26

Grade： Automotive

Qualification： AEC-Q101

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： N and P-Channel Complementary

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 840mW (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 400pF @ 15V, 420pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13nC @ 10V, 9nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 250µA

Supplier Device Package： TSOT-26

Grade： Automotive

Qualification： AEC-Q101

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： N and P-Channel Complementary

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 840mW (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 400pF @ 15V, 420pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13nC @ 10V, 9nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 250µA

Supplier Device Package： TSOT-26

Grade： Automotive

Qualification： AEC-Q101

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道互补型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta），2.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V，95 毫欧 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V，9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V，420pF 15V

功率 - 最大值： 840mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： TSOT-23

温度： -55°C # 150°C（TJ）