DMP2110UVT-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMP2110UVT-7 共 4 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥1.176464 +30：￥0.575795 +100：￥0.516667 +500：￥0.492003 +1500：￥0.482412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443pF 6V 功率 - 最大值： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.662136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443pF 6V 功率 - 最大值： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.144168	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443pF 6V 功率 - 最大值： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥7.087941 +10：￥5.308082 +100：￥3.323457 +500：￥2.268143 +1000：￥1.74836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 443pF 6V 功率 - 最大值： 740mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2110UVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	443pF 6V
功率 - 最大值:	740mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）