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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.648867 +200：￥1.11441 +800：￥0.818565 +3000：￥0.594473 +6000：￥0.56386	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 622pC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59pF 16V 功率 - 最大值： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.528764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 622pC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59pF 16V 功率 - 最大值： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.293496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 622pC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59pF 16V 功率 - 最大值： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 430mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 622pC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59pF 16V 功率 - 最大值： 530mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1023UVQ-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥0.648222 +9000：￥0.623253 +15000：￥0.61173 +30000：￥0.597324 +60000：￥0.574278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMG1023UVQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.03A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	622pC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	59pF 16V
功率 - 最大值:	530mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）