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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.173587 +5000：￥2.059241 +12500：￥1.906636 +25000：￥1.887793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.1A（Ta），42A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 805pF 20V 功率 - 最大值： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.755952 +5000：￥3.558362 +12500：￥3.29466 +25000：￥3.262102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.1A（Ta），42A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 805pF 20V 功率 - 最大值： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.941639 +10：￥8.562238 +100：￥5.930189 +500：￥4.955162 +1000：￥4.217245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
	DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.941639 +10：￥8.562238 +100：￥5.930189 +500：￥4.955162 +1000：￥4.217245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥11.846058 +10：￥10.509932 +100：￥8.058073 +500：￥6.363812 +1000：￥5.096559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.1A（Ta），42A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 805pF 20V 功率 - 最大值： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

DMTH4011SPD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.1A（Ta），42A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	805pF 20V
功率 - 最大值:	2.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
温度:	-55°C # 175°C（TJ）