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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.583835 +200：￥2.163599 +500：￥2.087109 +1000：￥2.054327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 641pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥5.497331	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 641pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.924998 +5000：￥2.848673 +7500：￥2.797872 +10000：￥2.647308 +12500：￥2.550982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 641pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.559591	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 641pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.815174	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 641pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.462799 +10：￥9.072091 +100：￥6.257142 +500：￥4.98093 +1000：￥4.561596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.462799 +10：￥9.072091 +100：￥6.257142 +500：￥4.98093 +1000：￥4.561596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥12.105511 +10：￥9.833655 +100：￥6.782404 +500：￥5.406023 +1000：￥4.958286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A，5.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 641pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.493191 +5000：￥4.448306 +10000：￥4.40342 +15000：￥4.360081 +20000：￥4.315196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSDXQ-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, DUAL, N/P-CH, 30V, 5.5A 下载数据手册未分类	+1：￥7.147563 +10：￥6.208742 +100：￥4.306062 +500：￥3.605076 +1000：￥2.440937	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMC3028LSDXQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A，5.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13.2nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	641pF 15V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）