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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DGTD65T15H2TF_晶体管-IGBT
DGTD65T15H2TF
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥12.74003

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￥11.206605

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￥10.240337

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￥9.253064

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￥8.811941

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，15A

功率 - 最大值： 48 W

开关能量： 270µJ（开），86µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 61 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/128ns

测试条件： 400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 150 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商器件封装： ITO-220AB

温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
DGTD65T15H2TF_晶体管-IGBT
DGTD65T15H2TF
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，15A

功率 - 最大值： 48 W

开关能量： 270µJ（开），86µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 61 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/128ns

测试条件： 400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 150 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商器件封装： ITO-220AB

温度： -40°C # 175°C（TJ）

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DGTD65T15H2TF
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￥23.609908

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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，15A

功率 - 最大值： 48 W

开关能量： 270µJ（开），86µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 61 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/128ns

测试条件： 400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 150 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商器件封装： ITO-220AB

温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser
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DGTD65T15H2TF_晶体管
DGTD65T15H2TF
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IGBT600V-XITO-220AB

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晶体管
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货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V 15V，15A

功率 - 最大值： 48 W

开关能量： 270µJ（开），86µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 61 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/128ns

测试条件： 400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 150 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片

供应商器件封装： ITO-220AB

温度： -40°C # 175°C（TJ）

DGTD65T15H2TF参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V 15V，15A
功率 - 最大值: 48 W
开关能量: 270µJ（开），86µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 61 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 19ns/128ns
测试条件: 400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): 150 ns
工作温度: -40°C # 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装: ITO-220AB
温度: -40°C # 175°C（TJ）