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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.347335 +30：￥1.29591 +100：￥1.244485 +500：￥1.141635 +1000：￥1.09021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.58A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1495pF 10V 功率 - 最大值： 880mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.237056 +100：￥3.025152 +200：￥2.313216 +500：￥1.964304 +800：￥1.766736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.58A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1495pF 10V 功率 - 最大值： 880mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.615488 +50：￥1.286795 +150：￥1.145943 +500：￥0.970232 +2500：￥0.891993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.58A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1495pF 10V 功率 - 最大值： 880mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.521832 +5000：￥1.423665 +12500：￥1.325498 +25000：￥1.256788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.58A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1495pF 10V 功率 - 最大值： 880mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.629721 +5000：￥2.460089 +12500：￥2.290456 +25000：￥2.171725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.58A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1495pF 10V 功率 - 最大值： 880mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.457681 +10：￥6.356785 +100：￥4.750424 +500：￥3.73263 +1000：￥2.884229	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.457681 +10：￥6.356785 +100：￥4.750424 +500：￥3.73263 +1000：￥2.884229	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 下载数据手册未分类	+1：￥8.843558 +10：￥7.659881 +100：￥5.727904 +500：￥4.503412 +1000：￥3.483002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.58A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.5 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1495pF 10V 功率 - 最大值： 880mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2016UTS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.58A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.5 毫欧 9.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1495pF 10V
功率 - 最大值:	880mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装:	8-TSSOP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）