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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.326728 +30：￥1.291753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 472pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.7787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 472pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.353689 +5000：￥1.284818 +12500：￥1.193087 +25000：￥1.165538 +62500：￥1.135826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 472pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.33917 +5000：￥2.220162 +12500：￥2.06165 +25000：￥2.014046 +62500：￥1.962704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 472pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.978504 +10：￥5.931728 +100：￥4.123548 +500：￥3.219334 +1000：￥2.61669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.978504 +10：￥5.931728 +100：￥4.123548 +500：￥3.219334 +1000：￥2.61669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥8.714157 +10：￥7.541707 +100：￥5.244339 +500：￥4.103576 +1000：￥3.31138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，6.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 472pF 15V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3028LSD-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.735833 +5000：￥2.257317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMC3028LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.6A，6.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	472pF 15V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）