制造商型号： | DMC3028LSD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMC3028LSD-13
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DMC3028LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3028LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.1 A, 7.4 A
漏源电阻 45 mOhms, 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 5.2 nC, 16.4 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.7 ns, 28 ns
正向跨导（Min） 12 S, 18.6 S
上升时间 3.1 nS, 4.9 nS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 nS, 44 nS
典型接通延迟时间 2.5 ns, 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 1999
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.978504 | 6.98 |
| 10 | 5.931728 | 59.32 |
| 100 | 4.123548 | 412.35 |
| 500 | 3.219334 | 1609.67 |
| 1000 | 2.61669 | 2616.69 |
品牌其他型号
DMC3028LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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