DMC3016LSD-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMC3016LSD-13 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.888072 +10：￥1.742836 +30：￥1.713784 +100：￥1.626639	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥5.550192 +100：￥3.962736 +200：￥3.030048 +500：￥2.572992 +800：￥2.314224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册	+1：￥5.654597 +10：￥4.858922 +30：￥4.45578 +100：￥4.158728 +500：￥3.872285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.759824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.31809 +10：￥1.005569 +30：￥0.948149 +100：￥0.890728 +500：￥0.865226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.277656 +10：￥1.73762 +30：￥1.638397 +100：￥1.539175 +500：￥1.495108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.277656 +10：￥1.73762 +30：￥1.638397 +100：￥1.539175 +500：￥1.495108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.277656 +10：￥1.73762 +30：￥1.638397 +100：￥1.539175 +500：￥1.495108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A，6.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1415pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC3016LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.2A，6.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25.1nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1415pF 15V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）