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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.3696 +100：￥2.61504 +200：￥2.097504 +500：￥1.872576 +800：￥1.738224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册未分类	+5：￥1.919266 +50：￥1.562709 +150：￥1.409836 +500：￥1.219265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.986485 +100：￥1.528065 +750：￥1.273388 +1500：￥1.161329 +3000：￥1.064552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+100：￥1.704024 +500：￥1.597523 +1000：￥1.517647	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.254683 +6000：￥1.190892 +9000：￥1.105813 +30000：￥1.08031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.168088 +6000：￥2.057857 +9000：￥1.91084 +30000：￥1.866774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.418842 +10：￥5.493048 +100：￥3.821681 +500：￥2.984022 +1000：￥2.425334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2030-6 (Type B)
	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.418842 +10：￥5.493048 +100：￥3.821681 +500：￥2.984022 +1000：￥2.425334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2030-6 (Type B)

Mouser

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	DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.161032 +10：￥6.983961 +100：￥4.865231 +500：￥3.798019 +1000：￥3.091777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550pF 10V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2014LHAB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1550pF 10V
功率 - 最大值:	800mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2030-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）