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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.674544 +100：￥5.160816 +200：￥4.139712 +500：￥3.695616 +800：￥3.430368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9pF 12V 功率 - 最大值： 820mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册未分类	+500：￥6.871662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9pF 12V 功率 - 最大值： 820mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.207231 +6000：￥1.129346 +15000：￥1.05146 +30000：￥0.996926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9pF 12V 功率 - 最大值： 820mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.086091 +6000：￥1.951506 +15000：￥1.816919 +30000：￥1.722684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9pF 12V 功率 - 最大值： 820mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.867208 +10：￥5.052983 +100：￥3.768184 +500：￥2.960905 +1000：￥2.287972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26
	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.867208 +10：￥5.052983 +100：￥3.768184 +500：￥2.960905 +1000：￥2.287972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥7.902735 +10：￥6.575075 +100：￥4.567781 +500：￥3.556231 +1000：￥2.813376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9pF 12V 功率 - 最大值： 820mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN61D8LVTQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	630mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 欧姆 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.74nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12.9pF 12V
功率 - 最大值:	820mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）