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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.116293 +10：￥1.074949 +100：￥0.975713 +500：￥0.9261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.440691 +200：￥1.825406 +800：￥1.415216 +2500：￥1.025475 +5000：￥0.974171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+5：￥3.075336 +50：￥2.56278 +150：￥2.050224 +500：￥1.70852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

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	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册	+5：￥2.468361 +50：￥2.070171 +150：￥1.899487 +500：￥1.686624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.063711 +100：￥1.017489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥0.842435 +5000：￥0.788084 +12500：￥0.733733 +25000：￥0.695712 +62500：￥0.679383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.060817 +5000：￥1.927862 +12500：￥1.794906 +25000：￥1.701895 +62500：￥1.661951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.831401 +10：￥4.985848 +100：￥3.723349 +500：￥2.925031 +1000：￥2.260397	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP
	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.831401 +10：￥4.985848 +100：￥3.723349 +500：￥2.925031 +1000：￥2.260397	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP

Mouser

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	DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.5mOhm 7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 143pF 10V 功率 - 最大值： 780mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 供应商器件封装： 8-TSSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMN2019UTS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18.5mOhm 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	143pF 10V
功率 - 最大值:	780mW
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)
供应商器件封装:	8-TSSOP
温度:	-55°C # 150°C (TJ)