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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册射频晶体管	+20：￥3.565628 +100：￥2.411288 +800：￥1.769988 +3000：￥1.2826 +6000：￥1.21847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册未分类	+5：￥0.821981 +50：￥0.680628 +150：￥0.609951 +500：￥0.556944 +2500：￥0.514538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.775885 +6000：￥0.743685 +9000：￥0.669293 +30000：￥0.659418 +75000：￥0.619738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.89802 +6000：￥1.819252 +9000：￥1.63727 +30000：￥1.613111 +75000：￥1.516043	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -65°C # 150°C（TJ）
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.004818 +10：￥5.460899 +100：￥3.27511 +500：￥3.032086 +1000：￥2.061848	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： X2-DFN1310-6 (Type B)
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.004818 +10：￥5.460899 +100：￥3.27511 +500：￥3.032086 +1000：￥2.061848	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： X2-DFN1310-6 (Type B)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.230763 +10：￥5.921041 +100：￥4.038313 +500：￥3.028735 +1000：￥2.278373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 400mW 工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： X2-DFN1310-6（B 类）温度： -65°C # 150°C（TJ）

DMN2005DLP4K-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	400mW
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	X2-DFN1310-6（B 类）
温度:	-65°C # 150°C（TJ）