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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.108206 +200：￥0.428862 +500：￥0.41379 +1000：￥0.406343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.38nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22.6pF 15V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT963 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.38nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22.6pF 15V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥1.767769 +30000：￥1.727022 +50000：￥1.682998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.38nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22.6pF 15V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.983741 +10：￥5.086179 +100：￥3.536107 +500：￥2.7605 +1000：￥2.243619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963
	DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.983741 +10：￥5.086179 +100：￥3.536107 +500：￥2.7605 +1000：￥2.243619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT963 下载数据手册未分类	+1：￥6.859801 +10：￥5.830832 +100：￥4.066883 +500：￥3.168576 +1000：￥2.302934	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.38nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22.6pF 15V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC31D5UDJ-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	220mA，200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.38nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	22.6pF 15V
功率 - 最大值:	350mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-963
供应商器件封装:	SOT-963
温度:	-55°C # 150°C（TJ）