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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥2.059057 +100：￥1.539967 +800：￥1.193907 +3000：￥0.86515 +6000：￥0.821953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.268752 +10：￥1.052601 +30：￥0.959966 +100：￥0.844434 +500：￥0.79297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册未分类	+500：￥5.139255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.909546 +9000：￥0.86683 +12000：￥0.849812 +30000：￥0.815316 +45000：￥0.781281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.713097	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.640979 +6000：￥0.60214 +15000：￥0.563301 +30000：￥0.516662 +75000：￥0.49727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.568006 +6000：￥1.472993 +15000：￥1.377984 +30000：￥1.263891 +75000：￥1.216452	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.565467 +10：￥4.465624 +100：￥3.041131 +500：￥2.280781 +1000：￥1.710587	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.565467 +10：￥4.465624 +100：￥3.041131 +500：￥2.280781 +1000：￥1.710587	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

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	DMG1026UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 下载数据手册未分类	+1：￥5.737358 +10：￥4.603546 +100：￥3.141886 +500：￥2.363245 +1000：￥1.775849	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32pF 25V 功率 - 最大值： 580mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG1026UV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	410mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.45nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	32pF 25V
功率 - 最大值:	580mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）