DMN32D2LDF-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMN32D2LDF-7 共 14 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.236257 +100：￥0.835989 +800：￥0.613712 +3000：￥0.444675 +6000：￥0.422411	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册未分类	+5：￥1.326789 +50：￥1.08027 +150：￥0.974713 +500：￥0.807634 +3000：￥0.748955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.528891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.035727 +200：￥0.666792 +1500：￥0.579391 +3000：￥0.513407 +45000：￥0.508081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.430289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.530603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.297996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.29351 +10：￥4.017637 +100：￥2.501522 +500：￥1.711841 +1000：￥1.316863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供应商器件封装： SOT-353
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.29351 +10：￥4.017637 +100：￥2.501522 +500：￥1.711841 +1000：￥1.316863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供应商器件封装： SOT-353

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 下载数据手册未分类	+1：￥5.879829 +10：￥4.066883 +100：￥1.812947 +1000：￥1.453626 +3000：￥1.290297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共源 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39pF 3V 功率 - 最大值： 280mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： SOT-353 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN32D2LDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共源
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	39pF 3V
功率 - 最大值:	280mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装:	SOT-353
温度:	-55°C # 150°C（TJ）