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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.950334 +100：￥0.642631 +800：￥0.471779 +3000：￥0.341825 +6000：￥0.324764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.362112 +50：￥0.314891 +150：￥0.29128 +500：￥0.273571 +3000：￥0.259404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.36542	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.384736 +6000：￥0.334553 +15000：￥0.28437 +30000：￥0.267642 +75000：￥0.250915	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.941166 +6000：￥0.818405 +15000：￥0.695645 +30000：￥0.654724 +75000：￥0.613805	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.428192 +10：￥4.398229 +100：￥2.332731 +500：￥1.53437 +1000：￥1.043466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.428192 +10：￥4.398229 +100：￥2.332731 +500：￥1.53437 +1000：￥1.043466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 下载数据手册晶体管	+1：￥6.419184 +10：￥4.641564 +100：￥2.501837 +500：￥1.826999 +1000：￥1.234459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LV-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.681908 +6000：￥0.543029 +9000：￥0.538348 +24000：￥0.532106 +30000：￥0.527424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN63D8LV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.87nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	22pF 25V
功率 - 最大值:	450mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）