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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.552522 +200：￥5.783679 +500：￥4.245527 +2000：￥3.076425 +4000：￥2.922634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8（UXC 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.426599 +10：￥2.8556 +30：￥2.28448 +100：￥1.903693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8（UXC 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册射频晶体管	+2000：￥1.122461 +6000：￥1.050054 +10000：￥0.977646 +50000：￥0.917279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8（UXC 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册射频晶体管	+2000：￥2.745838 +6000：￥2.56871 +10000：￥2.39158 +50000：￥2.243906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8（UXC 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.736668 +10：￥6.637246 +100：￥4.959612 +500：￥3.897381 +1000：￥3.011601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.736668 +10：￥6.637246 +100：￥4.959612 +500：￥3.897381 +1000：￥3.011601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 下载数据手册未分类	+1：￥8.415767 +10：￥7.19548 +100：￥5.372065 +500：￥4.221909 +1000：￥3.268122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393pF 15V 功率 - 最大值： 900mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8（UXC 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMT3020LDV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	393pF 15V
功率 - 最大值:	900mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（UXC 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）