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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.70932 +200：￥3.18472 +800：￥2.33772 +2500：￥1.694 +5000：￥1.6093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.447708 +10：￥2.163599 +30：￥2.032472 +100：￥1.87949 +500：￥1.813927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2028USS-13 授权代理品牌	DMN2028USS-13 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.183556 +500：￥1.092567 +2000：￥1.001462 +6000：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.963172 +100：￥2.284458 +1250：￥1.986485 +2500：￥1.870607 +37500：￥1.854052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.248354 +5000：￥1.184895 +12500：￥1.100242 +25000：￥1.07949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.053804 +5000：￥2.898567 +12500：￥2.691483 +25000：￥2.640717	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.131538 +10：￥7.738591 +100：￥5.382965 +500：￥4.202986 +1000：￥3.416125	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.131538 +10：￥7.738591 +100：￥5.382965 +500：￥4.202986 +1000：￥3.416125	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2028USS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO 下载数据手册晶体管	+1：￥9.093487 +10：￥7.484639 +100：￥6.190566 +500：￥4.896494 +1000：￥3.987144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2028USS-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+19：￥2.582993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2028USS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 9.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1000 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.56W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）