DMG6301UDW-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.564893 +100：￥1.057661 +800：￥0.778151 +3000：￥0.564223 +6000：￥0.535788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册	+1：￥0.519857 +10：￥0.429182 +30：￥0.383845 +100：￥0.349843 +500：￥0.32264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.438746 +100：￥0.367598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.478776 +6000：￥0.430922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.171213 +6000：￥1.054147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.271367 +10：￥4.682621 +100：￥2.653485 +500：￥1.75682 +1000：￥1.34695	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.271367 +10：￥4.682621 +100：￥2.653485 +500：￥1.75682 +1000：￥1.34695	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 下载数据手册未分类	+1：￥6.248228 +10：￥4.771374 +100：￥2.712299 +500：￥1.803466 +1000：￥1.37745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG6301UDW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.36nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	27.9pF 10V
功率 - 最大值:	300mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）