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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.276382 +200：￥2.8919 +800：￥2.122824 +3000：￥1.538273 +6000：￥1.461317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.4528 +10：￥3.78488 +30：￥3.11696 +100：￥2.783 +500：￥2.56036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.4528 +10：￥3.78488 +30：￥3.11696 +100：￥2.783 +500：￥2.56036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.190763 +10：￥2.819236 +30：￥2.633472 +100：￥2.447708 +500：￥2.218236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.409308 +10：￥3.070563 +30：￥2.928508 +100：￥2.753672 +500：￥2.677181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册未分类	+3000：￥4.535319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.853507 +6000：￥1.755969 +9000：￥1.625899 +30000：￥1.609838	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.534167 +6000：￥4.295565 +9000：￥3.97738 +30000：￥3.938088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 713pF 10V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2020-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.001574 +10：￥10.344214 +100：￥7.15951 +500：￥5.981928 +1000：￥5.091097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)
	DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.001574 +10：￥10.344214 +100：￥7.15951 +500：￥5.981928 +1000：￥5.091097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type B)

DMC2041UFDB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.7A，3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	713pF 10V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）