DMP3036SSD-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.192128 +100：￥3.56328 +200：￥2.934432 +500：￥2.62008 +800：￥2.410416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.0A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.0A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.395056 +5000：￥2.252403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.0A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥4.138649 +5000：￥3.892146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.0A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.749738 +10：￥9.415289 +100：￥7.220858 +500：￥5.708482 +1000：￥4.566785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.0A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1931pF 15V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3036SSD-13 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.040043 +5000：￥3.925484 +10000：￥3.838478 +25000：￥3.809475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3036SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18.0A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1931pF 15V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）