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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMC1028UFDB-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

射频晶体管

+3000:

¥2.166598

+6000:

¥1.949938

+15000:

¥1.805498

+30000:

¥1.776611

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A,3.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.5nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 787pF 6V

功率 - 最大值: 1.36W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DMC1028UFDB-7_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

射频晶体管

+3000:

¥3.743875

+6000:

¥3.369487

+15000:

¥3.119896

+30000:

¥3.069978

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A,3.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.5nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 787pF 6V

功率 - 最大值: 1.36W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC1028UFDB-7_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

射频晶体管

+1:

¥9.390578

+10:

¥8.241468

+25:

¥7.739813

+100:

¥5.615813

+250:

¥5.416387

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B)

DMC1028UFDB-7_射频晶体管
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射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B)

Mouser
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DMC1028UFDB-7_晶体管
DMC1028UFDB-7
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

晶体管

+1:

¥12.890985

+10:

¥11.279611

+100:

¥8.137436

+500:

¥6.622743

+1000:

¥5.478669

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 12V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A,3.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.5nC 8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 787pF 6V

功率 - 最大值: 1.36W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMC1028UFDB-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 12V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A,3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 5.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.5nC 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 787pF 6V
功率 - 最大值: 1.36W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)
温度: -55°C # 150°C(TJ)