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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.449504 +100：￥1.232064 +200：￥1.014624 +500：￥0.905904 +800：￥0.833472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥1.11786 +10：￥0.910133 +30：￥0.821184 +100：￥0.710163 +500：￥0.660663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6602SVTQ-7 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMG6602SVTQ-7 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥0.45078 +100：￥0.426006 +1000：￥0.401927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.984329 +200：￥0.678716 +1500：￥0.617593 +3000：￥0.576845 +45000：￥0.573025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.617478 +6000：￥0.606943 +9000：￥0.596524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+100：￥0.73625 +300：￥0.717843 +9100：￥0.705573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+100：￥0.694575 +200：￥0.682999 +300：￥0.671423 +400：￥0.659846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6602SVTQ-7 授权代理品牌	DMG6602SVTQ-7 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.45842 +100：￥0.433415 +1000：￥0.409105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.663783 +6000：￥0.658226 +9000：￥0.647113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.716786 +6000：￥0.687059 +9000：￥0.618316 +30000：￥0.609175 +75000：￥0.572536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A，2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400pF 15V 功率 - 最大值： 840mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG6602SVTQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A，2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	400pF 15V
功率 - 最大值:	840mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）