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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.771136 +100：￥2.355408 +200：￥1.939824 +500：￥1.732032 +800：￥1.59336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册	+5：￥1.551563 +50：￥1.308868 +150：￥1.20484 +500：￥1.075024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.273041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册未分类	+500：￥1.559765 +1000：￥1.177225 +2500：￥1.0693 +10000：￥0.931993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册未分类	+50：￥2.787935 +100：￥1.899179 +500：￥1.436534 +1000：￥1.066508 +2500：￥0.913113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.213076 +100：￥0.808254 +1250：￥0.733934 +2500：￥0.680799 +37500：￥0.673738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥0.718079 +5000：￥0.688226 +12500：￥0.619431 +25000：￥0.610275 +62500：￥0.573569	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.240838 +5000：￥1.189252 +12500：￥1.070376 +25000：￥1.054552 +62500：￥0.991126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 563pF 25V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.610466 +10：￥3.563767 +100：￥2.140752 +500：￥1.982252 +1000：￥1.347876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.610466 +10：￥3.563767 +100：￥2.140752 +500：￥1.982252 +1000：￥1.347876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

DMP3085LSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	563pF 25V
功率 - 最大值:	1.1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）