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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 下载数据手册未分类	+1：￥40.572954 +200：￥15.702487 +500：￥15.156123 +1000：￥14.882942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 5.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1418pF 10V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.712549 +6000：￥1.594447 +15000：￥1.535396 +30000：￥1.496074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 5.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1418pF 10V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.944718 +6000：￥2.789832 +9000：￥2.583107 +30000：￥2.557562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 5.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1418pF 10V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.725646 +10：￥6.716328 +100：￥4.649095 +500：￥3.885004 +1000：￥3.306451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2030-6 (Type B)
	DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.725646 +10：￥6.716328 +100：￥4.649095 +500：￥3.885004 +1000：￥3.306451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2030-6 (Type B)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 下载数据手册未分类	+1：￥9.82257 +10：￥8.539301 +100：￥5.909387 +500：￥4.942972 +1000：￥4.2142	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 5.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250A 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1418pF 10V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装： U-DFN2030-6（B 类）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2008LFU-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.4 毫欧 5.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42.3nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1418pF 10V
功率 - 最大值:	1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	U-DFN2030-6（B 类）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）