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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.739794 +200：￥0.553333 +800：￥0.428945 +3000：￥0.310849 +15000：￥0.279752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.986876 +50：￥0.822437 +150：￥0.657877 +500：￥0.548251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册未分类	+5：￥0.507244 +50：￥0.411084 +150：￥0.363004 +500：￥0.326944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.379456 +100：￥0.332024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.535135 +6000：￥0.481622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.091866 +6000：￥0.997165 +9000：￥0.948363 +15000：￥0.893288 +21000：￥0.860549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.660496 +10：￥3.503388 +100：￥2.199943 +500：￥1.636038 +1000：￥1.453524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.660496 +10：￥3.503388 +100：￥2.199943 +500：￥1.636038 +1000：￥1.453524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 下载数据手册未分类	+1：￥6.420376 +10：￥4.822112 +100：￥2.732075 +500：￥1.81683 +1000：￥1.393358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 87pF 20V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3190LDW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	87pF 20V
功率 - 最大值:	320mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）