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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥2.169064 +10：￥1.77437 +30：￥1.605216 +100：￥1.39421 +500：￥1.243851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1276 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 1.55W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.216728 +5000：￥1.138215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1276 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 1.55W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.102501 +5000：￥1.966831	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1276 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 1.55W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.93089 +10：￥5.090681 +100：￥3.79824 +500：￥2.984227 +1000：￥2.306004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+52：￥3.217463 +100：￥2.617518 +156：￥2.417633 +312：￥2.199458 +625：￥1.944994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

DMS3015SSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.9 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1276 pF 15 V
FET 功能:	肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）:	1.55W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）