![DMN63D8LDW-7_未分类]() | DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![DMN63D8LDW-7_未分类]() | DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
 | DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 射频晶体管 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 射频晶体管 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 射频晶体管 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 射频晶体管 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMN63D8LDW-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 射频晶体管 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.87nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22pF 25V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
