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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.482052 +10：￥0.451923 +50：￥0.406729 +150：￥0.3766 +300：￥0.355522	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.738 +100：￥0.55224 +200：￥0.454752 +300：￥0.40608 +800：￥0.373536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

自营现货库存

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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+5：￥0.507755 +50：￥0.40529 +150：￥0.354058 +500：￥0.315633 +3000：￥0.284894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.271645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册未分类	+1：￥0.993912 +30：￥0.325578 +100：￥0.266555 +500：￥0.253907 +1500：￥0.246528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.524636 +200：￥0.338722 +1500：￥0.295426 +3000：￥0.261045 +45000：￥0.257225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：

Digi-Key

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	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.770956 +6000：￥0.715076 +9000：￥0.593082 +30000：￥0.582596 +75000：￥0.523264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）： - 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度：
	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.057467 +10：￥3.540228 +100：￥1.78985 +500：￥1.460005 +1000：￥1.083162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 200mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
	DDC114TU-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.057467 +10：￥3.540228 +100：￥1.78985 +500：￥1.460005 +1000：￥1.083162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 200mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

DDC114TU-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	200mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度: