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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.169814 +10：￥0.959966 +30：￥0.869957 +100：￥0.75768 +500：￥0.707791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3007LSS-13 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	DMN3007LSS-13 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.047983 +12000：￥1.029749 +20000：￥1.002451 +24000：￥0.956813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN3007LSS-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN3007LSS-13 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.822561 +4000：￥1.716212 +12000：￥1.67068 +16000：￥1.594793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.324539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.288798	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3007LSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2714 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）