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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4015SSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥3.707227

+5000:

¥3.610935

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 9.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 91 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4234 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.8W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4015SSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥6.406075

+5000:

¥6.239684

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 9.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 91 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4234 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.8W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DMPH4015SSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥15.054475

+10:

¥13.503751

+100:

¥10.52455

+500:

¥8.694017

+1000:

¥6.86371

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

DMPH4015SSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥13.503751

+100:

¥10.52455

+500:

¥8.694017

+1000:

¥6.86371

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4015SSS-13_未分类
DMPH4015SSS-13
授权代理品牌

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

未分类

+1:

¥17.645707

+10:

¥15.920939

+100:

¥12.338728

+500:

¥10.202668

+1000:

¥8.053341

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 9.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 91 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4234 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.8W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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DMPH4015SSS-13_未分类
DMPH4015SSS-13
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A 8-Pin SO T/R

未分类

+2500:

¥6.316067

+5000:

¥6.12614

+10000:

¥6.017422

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMPH4015SSS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 9.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 91 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4234 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.8W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 175°C(TJ)