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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.881088 +100：￥2.87568 +200：￥2.21976 +500：￥1.88496 +800：￥1.695456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2588 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.73W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.134102 +10：￥0.954173 +30：￥0.877046 +100：￥0.799919 +500：￥0.748571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2588 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.73W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.99542 +6000：￥0.935069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2588 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.73W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.720082 +6000：￥1.615796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2588 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.73W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.05445 +10：￥4.90534 +100：￥3.336125 +500：￥2.501848 +1000：￥1.876508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26
DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.493668 +10：￥1.144877 +30：￥1.080792 +100：￥1.016707 +500：￥0.988338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-26

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019UVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 下载数据手册晶体管	+1：￥7.129285 +10：￥5.529157 +100：￥3.010142 +1000：￥2.091258 +3000：￥1.837771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2588 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.73W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN1019UVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 9.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	800mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50.4 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2588 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.73W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSOT-23
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）